RQ1C075UNTR - MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

codice articolo del costruttore

RQ1C075UNTR

Numero parte interna

ABC-RQ1C075UNTR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2821763 Pieces

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Specifiche per RQ1C075UNTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RQ1C075UNTR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TSMT8

Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RQ1 , RQ1C0

Documenti per RQ1C075UNTR

Schede tecniche : RQ1C075UNTR.pdf

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