SQJ200EP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

codice articolo del costruttore

SQJ200EP-T1_GE3

Numero parte interna

ABC-SQJ200EP-T1_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1328418 Pieces

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Specifiche per SQJ200EP-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQJ200EP-T1_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A, 60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 975pF @ 10V

Potenza - Max : 27W, 48W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQJ20 , SQJ200E

Documenti per SQJ200EP-T1_GE3

Schede tecniche : SQJ200EP-T1_GE3.pdf

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