IS42SM32160E-6BLI-TR - IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IS42SM32160E-6BLI-TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IS42SM32160E-6BLI-TR
fabbricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Serie : -
Stato parte : Preliminary
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria : 512Mb (16M x 32)
Frequenza di clock : 166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -
Tempo di accesso : 5.5ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 3V ~ 3.6V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 90-TFBGA (8x13)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IS42SM , IS42SM3216

Documenti per IS42SM32160E-6BLI-TR

Schede tecniche : IS42SM32160E-6BLI-TR.pdf

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