70V3579S6BCI - IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 70V3579S6BCI

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 70V3579S6BCI
fabbricante : IDT, Integrated Device Technology Inc
Descrizione : IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : SRAM
Tecnologia : SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria : 1.125Mb (32K x 36)
Frequenza di clock : -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -
Tempo di accesso : 6ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 3.15V ~ 3.45V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 256-CABGA (17x17)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : 70V3 , 70V357

Documenti per 70V3579S6BCI

Schede tecniche : 70V3579S6BCI.pdf

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