A2T18S261W12NR3 - AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

codice articolo del costruttore

A2T18S261W12NR3

Numero parte interna

ABC-A2T18S261W12NR3

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

44192 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per A2T18S261W12NR3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : A2T18S261W12NR3

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : LDMOS

Frequenza : 1.805GHz ~ 1.88GHz

Guadagno : 18.2dB

Tensione - Test : 28V

Valutazione attuale : 10µA

Figura di rumore : -

Corrente - Test : 1.5A

Potenza - Uscita : 280W

Tensione: nominale : 65V

Pacchetto / caso : OM-880X-2L2L

Pacchetto dispositivo fornitore : OM-880X-2L2L

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : A2T18 , A2T18S2

Documenti per A2T18S261W12NR3

Schede tecniche : A2T18S261W12NR3.pdf

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