HTMN5130SSD-13 - MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

codice articolo del costruttore

HTMN5130SSD-13

Numero parte interna

ABC-HTMN5130SSD-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

649579 Pieces

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Specifiche per HTMN5130SSD-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HTMN5130SSD-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 218.7pF @ 25V

Potenza - Max : 1.7W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HTMN , HTMN513

Documenti per HTMN5130SSD-13

Schede tecniche : HTMN5130SSD-13.pdf

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