RD3H080SPFRATL - RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W

codice articolo del costruttore

RD3H080SPFRATL

Numero parte interna

ABC-RD3H080SPFRATL

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1181418 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RD3H080SPFRATL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RD3H080SPFRATL

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 91 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 15W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RD3H , RD3H080

Documenti per RD3H080SPFRATL

Schede tecniche : RD3H080SPFRATL.pdf

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