1SS193,LF - DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

codice articolo del costruttore

1SS193,LF

Numero parte interna

ABC-1SS193,LF

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

17789394 Pieces

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Specifiche per 1SS193,LF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1SS193,LF

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 80V

Corrente: media rettificata (Io) : 100mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 100mA

Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr) : 4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 500nA @ 80V

Capacità @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore : S-Mini

Temperatura operativa - Giunzione : 125°C (Max)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1SS , 1SS1

Documenti per 1SS193,LF

Schede tecniche : 1SS193,LF.pdf

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