S3MHE3_A/I - DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

codice articolo del costruttore

S3MHE3_A/I

Numero parte interna

ABC-S3MHE3_A/I

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3469620 Pieces

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Specifiche per S3MHE3_A/I

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : S3MHE3_A/I

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V

Corrente: media rettificata (Io) : 3A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 2.5A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 2.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AB (SMC)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : S3M , S3MHE

Documenti per S3MHE3_A/I

Schede tecniche : S3MHE3_A/I.pdf

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