MJD112T4G - TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

codice articolo del costruttore

MJD112T4G

Numero parte interna

ABC-MJD112T4G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2603797 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per MJD112T4G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MJD112T4G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : NPN - Darlington

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 100V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 3V @ 40mA, 4A

Corrente - Limite del collettore (max) : 20µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 1000 @ 2A, 3V

Potenza - Max : 20W

Frequenza - Transizione : 25MHz

temperatura di esercizio : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MJD , MJD1

Documenti per MJD112T4G

Schede tecniche : MJD112T4G.pdf

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