DMNH10H028SK3Q-13 - MOSFET N-CH 100V 55A TO252

codice articolo del costruttore

DMNH10H028SK3Q-13

Numero parte interna

ABC-DMNH10H028SK3Q-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

693770 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per DMNH10H028SK3Q-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMNH10H028SK3Q-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2245pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMNH1 , DMNH10H0

Documenti per DMNH10H028SK3Q-13

Schede tecniche : DMNH10H028SK3Q-13.pdf

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