GPAS1003 MNG - DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

codice articolo del costruttore

GPAS1003 MNG

Numero parte interna

ABC-GPAS1003 MNG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2508226 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.1305~~

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Specifiche per GPAS1003 MNG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : GPAS1003 MNG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V

Corrente: media rettificata (Io) : 10A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 10A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB (D²PAK)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : GPAS , GPAS10

Documenti per GPAS1003 MNG

Schede tecniche : GPAS1003 MNG.pdf

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