FCU3400N80Z - MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

codice articolo del costruttore

FCU3400N80Z

Numero parte interna

ABC-FCU3400N80Z

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1133587 Pieces

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Specifiche per FCU3400N80Z

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FCU3400N80Z

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Serie : SuperFET® II

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 32W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FCU , FCU34

Documenti per FCU3400N80Z

Schede tecniche : FCU3400N80Z.pdf

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