SI6562DQ-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

codice articolo del costruttore

SI6562DQ-T1-E3

Numero parte interna

ABC-SI6562DQ-T1-E3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

60359 Pieces

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Specifiche per SI6562DQ-T1-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI6562DQ-T1-E3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 1W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSSOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI65 , SI6562D

Documenti per SI6562DQ-T1-E3

Schede tecniche : SI6562DQ-T1-E3.pdf

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