SI8481DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

codice articolo del costruttore

SI8481DB-T1-E1

Numero parte interna

ABC-SI8481DB-T1-E1

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

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3884699 Pieces

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Specifiche per SI8481DB-T1-E1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI8481DB-T1-E1

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

Serie : TrenchFET® Gen III

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)

Pacchetto / caso : 4-UFBGA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI84 , SI8481D

Documenti per SI8481DB-T1-E1

Schede tecniche : SI8481DB-T1-E1.pdf

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