NTLJD3115PT1G - MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

codice articolo del costruttore

NTLJD3115PT1G

Numero parte interna

ABC-NTLJD3115PT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3028116 Pieces

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Specifiche per NTLJD3115PT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NTLJD3115PT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 531pF @ 10V

Potenza - Max : 710mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-WDFN (2x2)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NTLJ , NTLJD3

Documenti per NTLJD3115PT1G

Schede tecniche : NTLJD3115PT1G.pdf

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