PHD18NQ10T,118 - MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

codice articolo del costruttore

PHD18NQ10T,118

Numero parte interna

ABC-PHD18NQ10T,118

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

45721 Pieces

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Specifiche per PHD18NQ10T,118

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PHD18NQ10T,118

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 79W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PHD1 , PHD18NQ

Documenti per PHD18NQ10T,118

Schede tecniche : PHD18NQ10T,118.pdf

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