SIR112DP-T1-RE3 - MOSFET N-CHAN 40V

codice articolo del costruttore

SIR112DP-T1-RE3

Numero parte interna

ABC-SIR112DP-T1-RE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CHAN 40V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1002197 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SIR112DP-T1-RE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIR112DP-T1-RE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CHAN 40V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 37.6A (Ta), 133A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.96 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V

Vgs (massimo) : +20V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4270pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 5W (Ta), 62.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIR11 , SIR112D

Documenti per SIR112DP-T1-RE3

Schede tecniche : SIR112DP-T1-RE3.pdf

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