RN1910FE(T5L,F,T) - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

codice articolo del costruttore

RN1910FE(T5L,F,T)

Numero parte interna

ABC-RN1910FE(T5L,F,T)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

62336 Pieces

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Specifiche per RN1910FE(T5L,F,T)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RN1910FE(T5L,F,T)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V

Resistor - Base (R1) : 4.7 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2) : -

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Limite del collettore (max) : 100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione : 250MHz

Potenza - Max : 100mW

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore : ES6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RN191 , RN1910FE

Documenti per RN1910FE(T5L,F,T)

Schede tecniche : RN1910FE(T5L,F,T).pdf

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