MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR - IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

codice articolo del costruttore

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

Numero parte interna

ABC-MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

fabbricante

Micron Technology Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

103496 Pieces

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Specifiche per MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

fabbricante : Micron Technology Inc.

Descrizione : IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria : 64Gb (1G x 64)

Frequenza di clock : 2133MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : -

Interfaccia di memoria : -

Tensione - Fornitura : 1.1V

temperatura di esercizio : -30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio : -

Pacchetto / caso : -

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MT53D1G64 , MT53D1G64D8NZ-

Documenti per MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

Schede tecniche : MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR.pdf

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