FDN336P - MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3

codice articolo del costruttore

FDN336P

Numero parte interna

ABC-FDN336P

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

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3584959 Pieces

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Specifiche per FDN336P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDN336P

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FD , FDN

Documenti per FDN336P

Schede tecniche : FDN336P.pdf

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