APT1002RBNG - MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

codice articolo del costruttore

APT1002RBNG

Numero parte interna

ABC-APT1002RBNG

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

79407 Pieces

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Specifiche per APT1002RBNG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APT1002RBNG

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Serie : POWER MOS IV®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 240W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247AD

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per APT1002RBNG

Schede tecniche : APT1002RBNG.pdf

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