IXTA160N10T7 - MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

codice articolo del costruttore

IXTA160N10T7

Numero parte interna

ABC-IXTA160N10T7

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

222089 Pieces

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Specifiche per IXTA160N10T7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTA160N10T7

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

Serie : TrenchMV™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 430W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263-7 (IXTA..7)

Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per IXTA160N10T7

Schede tecniche : IXTA160N10T7.pdf

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