RT1E050RPTR - MOSFET P-CH 30V 5A TSST8

codice articolo del costruttore

RT1E050RPTR

Numero parte interna

ABC-RT1E050RPTR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V 5A TSST8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4629443 Pieces

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Specifiche per RT1E050RPTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RT1E050RPTR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 30V 5A TSST8

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.25W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSST

Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RT1 , RT1E0

Documenti per RT1E050RPTR

Schede tecniche : RT1E050RPTR.pdf

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