BYV30JT-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

codice articolo del costruttore

BYV30JT-600PQ

Numero parte interna

ABC-BYV30JT-600PQ

fabbricante

WeEn Semiconductors

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

49335 Pieces

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Specifiche per BYV30JT-600PQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BYV30JT-600PQ

fabbricante : WeEn Semiconductors

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 30A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 30A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 65ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P

Temperatura operativa - Giunzione : 175°C (Max)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BYV3 , BYV30J

Documenti per BYV30JT-600PQ

Schede tecniche : BYV30JT-600PQ.pdf

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