DMN1019UFDE-7 - MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

codice articolo del costruttore

DMN1019UFDE-7

Numero parte interna

ABC-DMN1019UFDE-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3506608 Pieces

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Specifiche per DMN1019UFDE-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN1019UFDE-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50.6nC @ 8V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2425pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 690mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2020-6 (Type E)

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN1 , DMN101

Documenti per DMN1019UFDE-7

Schede tecniche : DMN1019UFDE-7.pdf

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