FCP165N65S3 - SF3 650V 165MOHM E TO220

codice articolo del costruttore

FCP165N65S3

Numero parte interna

ABC-FCP165N65S3

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

SF3 650V 165MOHM E TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

216224 Pieces

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Specifiche per FCP165N65S3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FCP165N65S3

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : SF3 650V 165MOHM E TO220

Serie : SuperFET® III

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 154W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FCP , FCP16

Documenti per FCP165N65S3

Schede tecniche : FCP165N65S3.pdf

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