DMN3016LDN-13 - MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

codice articolo del costruttore

DMN3016LDN-13

Numero parte interna

ABC-DMN3016LDN-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3237626 Pieces

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Specifiche per DMN3016LDN-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN3016LDN-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : -

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1415pF @ 15V

Potenza - Max : -

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : V-DFN3030-8 (Type J)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN3 , DMN301

Documenti per DMN3016LDN-13

Schede tecniche : DMN3016LDN-13.pdf

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