TSM210N06CZ C0G - MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220

codice articolo del costruttore

TSM210N06CZ C0G

Numero parte interna

ABC-TSM210N06CZ C0G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

40456 Pieces

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Specifiche per TSM210N06CZ C0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM210N06CZ C0G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 210A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7900pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 250W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM21 , TSM210N

Documenti per TSM210N06CZ C0G

Schede tecniche : TSM210N06CZ C0G.pdf

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