LN100LA-G - MOSFET 2N-CH 1200V

codice articolo del costruttore

LN100LA-G

Numero parte interna

ABC-LN100LA-G

fabbricante

Microchip Technology

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 1200V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

52949 Pieces

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Specifiche per LN100LA-G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : LN100LA-G

fabbricante : Microchip Technology

Descrizione : MOSFET 2N-CH 1200V

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Cascoded)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V

Potenza - Max : 350mW

temperatura di esercizio : -25°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-VFLGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-LFGA (3x3)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : LN1 , LN10

Documenti per LN100LA-G

Schede tecniche : LN100LA-G.pdf

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