RDX060N60FU6 - MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

codice articolo del costruttore

RDX060N60FU6

Numero parte interna

ABC-RDX060N60FU6

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

32436 Pieces

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Specifiche per RDX060N60FU6

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RDX060N60FU6

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 40W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220FM

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RDX0 , RDX060

Documenti per RDX060N60FU6

Schede tecniche : RDX060N60FU6.pdf

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