SSM3J15FV,L3F - MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

codice articolo del costruttore

SSM3J15FV,L3F

Numero parte interna

ABC-SSM3J15FV,L3F

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

19254403 Pieces

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Specifiche per SSM3J15FV,L3F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SSM3J15FV,L3F

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Serie : π-MOSVI

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.7V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9.1pF @ 3V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 150mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : VESM

Pacchetto / caso : SOT-723

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SSM3 , SSM3J1

Documenti per SSM3J15FV,L3F

Schede tecniche : SSM3J15FV,L3F.pdf

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