CSD86356Q5D - 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

codice articolo del costruttore

CSD86356Q5D

Numero parte interna

ABC-CSD86356Q5D

fabbricante

T-I

Breve descrizione

25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

568855 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per CSD86356Q5D

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD86356Q5D

fabbricante : T-I

Descrizione : 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V

Potenza - Max : 12W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON-CLIP (5x6)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD , CSD86

Documenti per CSD86356Q5D

Schede tecniche : CSD86356Q5D.pdf

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