GA10SICP12-263 - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

codice articolo del costruttore

GA10SICP12-263

Numero parte interna

ABC-GA10SICP12-263

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

43537 Pieces

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Specifiche per GA10SICP12-263

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : GA10SICP12-263

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : -

Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1403pF @ 800V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 170W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK (7-Lead)

Pacchetto / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : GA10 , GA10SIC

Documenti per GA10SICP12-263

Schede tecniche : GA10SICP12-263.pdf

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