STD7ANM60N - MOSFET N-CH 600V DPAK

codice articolo del costruttore

STD7ANM60N

Numero parte interna

ABC-STD7ANM60N

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

892472 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per STD7ANM60N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STD7ANM60N

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 600V DPAK

Serie : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 363pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 45W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STD , STD7A

Documenti per STD7ANM60N

Schede tecniche : STD7ANM60N.pdf

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