FQB27N25TM-F085 - MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

codice articolo del costruttore

FQB27N25TM-F085

Numero parte interna

ABC-FQB27N25TM-F085

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

285572 Pieces

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Specifiche per FQB27N25TM-F085

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQB27N25TM-F085

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 131 mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 417W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQB27 , FQB27N2

Documenti per FQB27N25TM-F085

Schede tecniche : FQB27N25TM-F085.pdf

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