FDC655BN_NBNN007 - MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

codice articolo del costruttore

FDC655BN_NBNN007

Numero parte interna

ABC-FDC655BN_NBNN007

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

40573 Pieces

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Specifiche per FDC655BN_NBNN007

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDC655BN_NBNN007

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.3A

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 800mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDC65 , FDC655BN

Documenti per FDC655BN_NBNN007

Schede tecniche : FDC655BN_NBNN007.pdf

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