SIZ322DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

codice articolo del costruttore

SIZ322DT-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIZ322DT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1767598 Pieces

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Specifiche per SIZ322DT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIZ322DT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.35 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 12.5V

Potenza - Max : 16.7W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-Power33 (3x3)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIZ32 , SIZ322D

Documenti per SIZ322DT-T1-GE3

Schede tecniche : SIZ322DT-T1-GE3.pdf

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