IPP65R125C7XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 18A TO220

codice articolo del costruttore

IPP65R125C7XKSA1

Numero parte interna

ABC-IPP65R125C7XKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 18A TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

151752 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IPP65R125C7XKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPP65R125C7XKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 18A TO220

Serie : CoolMOS™ C7

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 101W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPP65 , IPP65R12

Documenti per IPP65R125C7XKSA1

Schede tecniche : IPP65R125C7XKSA1.pdf

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