SIB419DK-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

codice articolo del costruttore

SIB419DK-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIB419DK-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

42993 Pieces

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Specifiche per SIB419DK-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIB419DK-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.82nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 562pF @ 6V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.45W (Ta), 13.1W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-75-6L Single

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-75-6L

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIB41 , SIB419D

Documenti per SIB419DK-T1-GE3

Schede tecniche : SIB419DK-T1-GE3.pdf

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