CSD16327Q3T - CSD16327Q3T

codice articolo del costruttore

CSD16327Q3T

Numero parte interna

ABC-CSD16327Q3T

fabbricante

T-I

Breve descrizione

CSD16327Q3T

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

831908 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per CSD16327Q3T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD16327Q3T

fabbricante : T-I

Descrizione : CSD16327Q3T

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 24A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : +10V, -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 12.5V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 74W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD , CSD16

Documenti per CSD16327Q3T

Schede tecniche : CSD16327Q3T.pdf

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