TPH6400ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

codice articolo del costruttore

TPH6400ENH,L1Q

Numero parte interna

ABC-TPH6400ENH,L1Q

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

922292 Pieces

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Specifiche per TPH6400ENH,L1Q

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPH6400ENH,L1Q

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.2nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta), 57W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP Advance (5x5)

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TPH6 , TPH6400

Documenti per TPH6400ENH,L1Q

Schede tecniche : TPH6400ENH,L1Q.pdf

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