SI8441DB-T2-E1 - MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP

codice articolo del costruttore

SI8441DB-T2-E1

Numero parte interna

ABC-SI8441DB-T2-E1

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1062733 Pieces

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Specifiche per SI8441DB-T2-E1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI8441DB-T2-E1

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-Micro Foot™ (1.5x1)

Pacchetto / caso : 6-UFBGA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI84 , SI8441D

Documenti per SI8441DB-T2-E1

Schede tecniche : SI8441DB-T2-E1.pdf

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