CSD25211W1015 - MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

codice articolo del costruttore

CSD25211W1015

Numero parte interna

ABC-CSD25211W1015

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3519614 Pieces

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Specifiche per CSD25211W1015

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD25211W1015

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : -6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 570pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-DSBGA (1x1.5)

Pacchetto / caso : 6-UFBGA, DSBGA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD2 , CSD252

Documenti per CSD25211W1015

Schede tecniche : CSD25211W1015.pdf

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