SIHG11N80E-GE3 - MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

codice articolo del costruttore

SIHG11N80E-GE3

Numero parte interna

ABC-SIHG11N80E-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

164784 Pieces

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Specifiche per SIHG11N80E-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIHG11N80E-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Serie : E

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 179W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247AC

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIHG , SIHG11N

Documenti per SIHG11N80E-GE3

Schede tecniche : SIHG11N80E-GE3.pdf

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