CSD85312Q3E - MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

codice articolo del costruttore

CSD85312Q3E

Numero parte interna

ABC-CSD85312Q3E

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1712837 Pieces

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Specifiche per CSD85312Q3E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD85312Q3E

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 10A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2390pF @ 10V

Potenza - Max : 2.5W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON (3.3x3.3)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD , CSD85

Documenti per CSD85312Q3E

Schede tecniche : CSD85312Q3E.pdf

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