MURT10060R - DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

codice articolo del costruttore

MURT10060R

Numero parte interna

ABC-MURT10060R

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

34144 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 43.7696~~

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Specifiche per MURT10060R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MURT10060R

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Serie : -

Stato parte : Active

Configurazione diodi : -

Diodo : Standard, Reverse Polarity

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) : 100A (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 100A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 25µA @ 50V

Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 175°C

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore : Three Tower

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MUR , MURT1

Documenti per MURT10060R

Schede tecniche : MURT10060R.pdf

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