FDD6612A - MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

codice articolo del costruttore

FDD6612A

Numero parte interna

ABC-FDD6612A

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1676255 Pieces

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Specifiche per FDD6612A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDD6612A

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Ta), 30A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 36W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-PAK (TO-252)

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FD , FDD6

Documenti per FDD6612A

Schede tecniche : FDD6612A.pdf

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