SI6913DQ-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

codice articolo del costruttore

SI6913DQ-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI6913DQ-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1301510 Pieces

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Specifiche per SI6913DQ-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI6913DQ-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 830mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSSOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI691 , SI6913D

Documenti per SI6913DQ-T1-GE3

Schede tecniche : SI6913DQ-T1-GE3.pdf

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