GT60N321(Q) - IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

codice articolo del costruttore

GT60N321(Q)

Numero parte interna

ABC-GT60N321(Q)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

84915 Pieces

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Specifiche per GT60N321(Q)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : GT60N321(Q)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo IGBT : -

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1000V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 60A

Corrente - Collector Pulsed (Icm) : 120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.8V @ 15V, 60A

Potenza - Max : 170W

Cambiare energia : -

Tipo di input : Standard

Carica del cancello : -

Td (acceso / spento) @ 25 ° C : 330ns/700ns

Condizione di test : -

Tempo di recupero inverso (trr) : 2.5µs

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : TO-3PL

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P(LH)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : GT6 , GT60N

Documenti per GT60N321(Q)

Schede tecniche : GT60N321(Q).pdf

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